干法蝕刻技術(shù)淺談（三氯化硼蝕刻）
 
自從1948年發(fā)明晶體管之后出現(xiàn)集成電路，半導(dǎo)體器件蝕刻工藝對各種材料進行不同的化學(xué)腐蝕來產(chǎn)生線路，但是當線路的尺寸進入微米的時候，濕法蝕刻已無法滿足精度和重復(fù)性。直到半導(dǎo)體干法蝕刻的發(fā)展，使用輝光放電產(chǎn)生的氣體等離子來進行腐蝕加工，成為了半導(dǎo)體線路的微化時代。干法蝕刻成為了半導(dǎo)體決定性的革命技術(shù)。
 
蝕刻，是將顯影后產(chǎn)生的光阻圖案轉(zhuǎn)印到光阻下的材料上，形成光刻后的線路圖形。濕法蝕刻具有蝕刻材料與光阻及下層材料較優(yōu)的選擇比，但是化學(xué)反應(yīng)并沒有方向性，濕法蝕刻會造成overcut，undercut等現(xiàn)象，導(dǎo)致圖型不佳。
 
隨著晶圓尺寸變大，線路越來越小，還必須要有更高的重復(fù)性，干法蝕刻成為如今唯一能夠有效的在高良率下工作的工藝，干法蝕刻采用等離子蝕刻技術(shù)，使用輝光放電來進行圖形轉(zhuǎn)印。
 
艾佩科(上海)氣體有限公司提供干法蝕刻所使用的各種氣體，其中三氯化硼(BCl3)為我公司強而有力的產(chǎn)品之一，提供半導(dǎo)體級高純度三氯化硼(BCl3)的產(chǎn)品，歡迎來電洽詢。