ALD (原子層沉積)技術(shù)

ALD(原子層沉積)技術(shù)在20世紀(jì)末已開發(fā)應(yīng)用在半導(dǎo)體加工制造，ALD技術(shù)有低溫沉積、高薄膜純度以及絕佳覆蓋率等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)ALD在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
原子層沉積技術(shù)具有膜層厚度一致、逐層沉積、結(jié)合強(qiáng)度好、成分均勻性好等優(yōu)點(diǎn),是先進(jìn)的納米表面處理技術(shù),具有廣闊的應(yīng)用前景。
作為一項(xiàng)涉及多學(xué)科領(lǐng)域的新技術(shù),有許多因素會(huì)影響沉積膜層的質(zhì)量和生產(chǎn)效率,如前驅(qū)體材料、形核長(zhǎng)大機(jī)制、薄膜結(jié)構(gòu)、沉積速率、設(shè)備條件等等,其中,前驅(qū)體是原子層沉積工藝的基礎(chǔ)。 
從ALD技術(shù)的基本原理可知,原子層沉積是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器,在沉積基體上化學(xué)吸附并發(fā)生反應(yīng),形成沉積膜的一種方法。前驅(qū)體材料是原子層沉積工藝的基礎(chǔ),艾佩科(上海)氣體有限公司，提供ALD技術(shù)(原子層淀積)所需之前驅(qū)體材料(Precursor material)，詳見產(chǎn)品介紹。


原子層沉積裝置（ALD）過(guò)程周期
舉例：TMA及O2等離子，使用三甲基鋁的ALD過(guò)程周期。.
圖片是熱動(dòng)過(guò)程用的H 2 O或O 2等離子之間變化。